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Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 200mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 50 @ 10mA, 1V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 0.2 |
最低工作温度 | -55 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 4.19(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 625 |
类型 | PNP |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
最大集电极发射极电压 | 40 |
供应商封装形式 | TO-92 |
标准包装名称 | TO-92 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 5.2(Max) |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 30@0.1mA@1V|40@1mA@1V|50@10mA@1V|... |
包装高度 | 5.33(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Formed |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 200mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 5mA, 50mA |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 50 @ 10mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2000 |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
最大功率耗散 | 625 mW |
直流集电极/增益hfe最小值 | 50 |
直流电流增益hFE最大值 | 150 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
最低工作温度 | - 55 C |
集电极最大直流电流 | 0.2 A |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.2 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.2 A |
集电极 - 基极电压 | 40 V |
集电极 - 发射极电压 | 40 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
功率耗散 | 0.625 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 50 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 0.2 A |
直流电流增益 | 30 |
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